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在通过隐形切割来分割半导体晶片１Ｗ的情况下，使切断区域ＣＲ的测试用焊盘１ＬＢｔ和对准标线Ａｍ靠近切断区域ＣＲ的宽度方向的一侧而进行配置，将用于形成改质区域ＰＲ的激光束照射到在平面上远离测试用焊盘１ＬＢｔ和对准标线Ａｍ靠近切断区域ＣＲ的位置。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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