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本发明公开了一种抑制氮化钛腐蚀的沟槽缓冲蚀刻液，主要成分为氢氟酸、氟化铵、有机胺、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于沟槽氧化硅薄膜的蚀刻，并可抑制氮化钛层腐蚀。有机胺与氮化钛表面金属离子反应，形成保护膜层，可有效抑制蚀刻液对氮化钛的腐...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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