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本发明提供一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT及制备方法，该GaN HEMT包括：梳状源极场板；所述梳状源极场板位于栅极和漏极之间；所述梳状源极场板的第一端与源极连接并延伸至栅极上方，第二端位于栅极和漏极之间并被钝化层包覆；所述梳...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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