一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT及制备方法，该GaN HEMT包括：梳状源极场板；所述梳状源极场板位于栅极和漏极之间；所述梳状源极场板的第一端与源极连接并延伸至栅极上方，第二端位于栅极和漏极之间并被钝化层包覆；所述梳状源极场板的第二端包括至少一个延伸部。本发明专利技术在栅极和源极之间引入了源极场板，并将源极场板的第二端设置为梳状，通过在源场板有效长度下方的钝化层蚀刻沟槽，并在沟槽中填充金属形成梳状的源场板结构，可以在每个沟槽中金属右侧下方都形成新的沟道电场峰，因此梳状结构的场板具有更加优异的电势线调制作用，获得更加均匀沟道电场分布，从而具有更好的阻断能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种具有梳状源极场板提高耐压的ganhemt及制备方法。

技术介绍

1、氮化镓（gan）因具有宽带隙、耐高温、大击穿电压的特点，成为新兴的第三代半导体研究材料。algan/gan异质结构由于自发极化和压电极化，在algan与gan界面电离产生高浓度和高电子迁移率的二维电子气(2deg)，使其在电力电子器件和射频器件中备受关注。其中p-gan栅增强型hemt凭借消除负电源电压，稳定的阈值电压，利于集成的优势成为目前最为广泛使用的器件。

2、氮化镓高电子迁移率晶体管gan hemt(highelectron mobility transistors)作为宽禁带功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。gan材料相比于si和sic具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场。由于材料上的优势，gan功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷（意味着更优秀的传导和开关性能）。因此gan功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。目前gan功率器件主要应用于电源适配器、车载充电、数据中心本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT，其特征在于，包括：梳状源极场板；

2.根据权利要求1所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT，其特征在于，还包括：T型栅极；

3.根据权利要求1所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT，其特征在于，所述梳状源极场板的第二端的长度为0.6-1.2um。

4.根据权利要求2所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT，其特征在于，所述梳状源极场板的第二端最靠近栅极的凸起与栅极之间的间隔为0.2-0.5um。

5.根据权利要求2所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的...

【技术特征摘要】

1.一种具有梳状源极场板提高耐压的gan hemt，其特征在于，包括：梳状源极场板；

2.根据权利要求1所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的gan hemt，其特征在于，还包括：t型栅极；

3.根据权利要求1所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的gan hemt，其特征在于，所述梳状源极场板的第二端的长度为0.6-1.2um。

4.根据权利要求2所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的gan hemt，其特征在于，所述梳状源极场板的第二端最靠近栅极的凸起与栅极之间的间隔为0.2-0.5um。

5.根据权利要求2所述的一种具有梳状源极场板提高耐压的gan hemt，其特征在于，所述梳状源极场板的凸起与algan势垒层之间的间隔为0.04-0.06um。

6.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：古佳茜，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：