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本发明提供了一种围栅晶体管中源漏区结构的制备方法，包括：提供一衬底，形成于衬底上的沟道区结构、第一刻蚀空腔以及第二刻蚀空腔；第一刻蚀空腔与第二刻蚀空腔沿第一方向排列于沟道区结构的两侧；沟道区结构包括第一沟道层；第一沟道层表征了最靠近衬底的沟...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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