温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法，包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构包括交替叠设的若干对Al<subgt;x<...
该专利属于厦门银科启瑞半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门银科启瑞半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。