一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法，包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构包括交替叠设的若干对Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;As/Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;As组合层，所述Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;As/Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;As组合层的厚度按照叠设顺序单调递减，每一组相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的厚度的0.5％～2％，从而增加了DBR有效反射带宽，将未能被中电池吸收且能量高于中电池禁带宽度的光子反射回中电池再次吸收，改善了中电池厚度减薄所导致的长波段EQE下降的问题，在获得较好的辐照特性的同时获得高的光吸收效率，提高了太阳能电池的综合性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池的，具体涉及一种含dbr结构的空间三结太阳能电池及制备方法。

技术介绍

1、空间三结太阳电池具备光电转换效率高、抗辐射能力强、在轨运行环境稳定性好等特点，被广泛应用于航天领域，目前已逐渐成为空间电池的主流。航天器在轨服役期间要受到空间高能粒子的辐射，高能粒子射入太阳电池中，使太阳能电池材料受到损伤，电池电学性能发生衰减，影响航天器的供能系统，进而影响航天器的寿命与可靠性，所以对三结砷化镓太阳电池的辐射衰减的研究具有重要意义。

2、电子辐照下电池内部的晶格原子与入射电子发生弹性散射，当入射电子的能量高于晶格原子发生位移的阈值能量值，晶格原子就会发生位移，位移损伤缺陷为光生少子的陷阱，较高的陷阱浓度造成少子扩散长度更大幅度地缩短，从而收集效率的衰减更加明显。

3、研究发现三结子电池中，中电池衰减最为严重。主要原因是由于对太能光吸收的需要，中电池的基区厚度远远大于顶电池基区厚度。中电池基区中光生载流子的扩散长度与基区厚度相当，经过辐照后光生载流子的扩散长度大大降低，从而导致有一部分光生载流子无法到达pn结空间电荷区本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含DBR结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构包括交替叠设的若干对AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs组合层，所述AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs组合层的厚度按照叠设顺序单调递减，每一组的AlxGa1-xAs层和AlyGa1-yAs层相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的AlxGa1-xAs层和AlyGa1-yAs层厚度的0.5％～2％。

2.根据权利要求1所述的含DBR结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：所述AlxGa1-...

【技术特征摘要】

1.一种含dbr结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：包括按序设于ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、dbr结构、ingaas中电池、第二隧穿结、gainp顶电池和帽层，所述dbr结构包括交替叠设的若干对alxga1-xas/alyga1-yas组合层，所述alxga1-xas/alyga1-yas组合层的厚度按照叠设顺序单调递减，每一组的alxga1-xas层和alyga1-yas层相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的alxga1-xas层和alyga1-yas层厚度的0.5％～2％。

2.根据权利要求1所述的含dbr结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：所述alxga1-xas/alyga1-yas组合层中，0.85≤x＜1，0＜y≤0.15。

3.根据权利要求1所述的含dbr结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：所述dbr结构的对数为10～25对。

4.根据权利要求1所述的含dbr结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：所述dbr结构用于反射所述ingaas中电池的吸收波段的光子。

5.根据权利要求1所述的含dbr结构的空间三结太阳能电池，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉，褚克成，叶培飞，张银桥，叶伟民，丁杰，周珊，
申请(专利权)人：厦门银科启瑞半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：