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本发明公开了一种基于薄壳单元和界面耦合技术的气隙磁场仿真方法，S1：基于气隙层两侧的物体建立几何模型，对所述气隙层两侧的物体分别划分网格，且使气隙层两侧的物体在交界面处的网格不匹配，得到有限元模型；S2：对气隙层两侧的物体使用实体单元进行离...
该专利属于英特工程仿真技术（大连）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特工程仿真技术（大连）有限公司授权不得商用。

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