温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体制备技术领域，具体公开一种硅通孔的形成方法，包括以下步骤：提供形成有用于形成硅通孔的凹槽的半导体衬底；在所述硅通孔的凹槽内侧形成镀铜薄膜；在所述镀铜薄膜上沉积钨和锆的氧化物薄膜，在所述氧化物薄膜表面铺设纳米磷酸钒锂，热处理后...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。