专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
安徽格恩半导体有限公司
>
一种氮化镓基半导体激光芯片制造技术
>技术资料下载
下载一种氮化镓基半导体激光芯片的技术资料
文档序号:40674436
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提出了一种氮化镓基半导体激光芯片,其具有电子亲和能梯度、峰值电子漂移速率梯度、形变势梯度和体积弹性模量梯度。本发明能够调控有源层的极化电场,降低空穴注入势垒,调控空空波函数分布,降低空穴溢出有源层,改善空穴准费米能级钉扎,使注入载流子...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。