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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，尤其涉及一种半导体激光器芯片，包括衬底、外延层，其中沿激光出射方向的外延层截面为第一端面，逆激光出射方向的外延层截面为第二端面，所述第一端面上具有减反射增透膜层,所述第二端面上具有高反射膜层,所述减反射增...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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