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本发明公开了一种基于CMOS工艺的非易失性存储器单元。非易失性存储器单元包括，一个具有厚栅氧化层的读取晶体管和一个具有薄栅氧化层的控制晶体管；其中读取晶体管的源极为该非易失性存储器单元的源极端，读取晶体管的漏极为该非易失性存储器单元的漏端，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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