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本申请提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；位于衬底底部的漏极；位于衬底上的外延层；位于外延层中、靠近外延层上表面且呈轴对称的两个P基区；位于P基区中的源区和短路区；位于外延层背离衬底一侧的栅极绝缘介质层；位于外延...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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