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本发明涉及一种GaN衬底的制备方法，使用本发明方法获得的低质量GaN上键合高质量GaN的衬底，既能保持GaN衬底的特性，又能有一层高质量的GaN层，高质量GaN层有助于后续的外延等工作。...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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