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本发明提出了一种半导体激光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一子下限制层、第二子下限制层和第三子下限制层，所述第一子下限制层、第二子下限制层和第三子下限制...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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