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本发明涉及微波衰减材料技术领域，具体涉及一种SiC/AlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用，具体是以高导热、高绝缘AlN为基体，以电导率为10<supgt;–5</supgt;–10<supgt;1</supgt; ...
该专利属于南京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业大学授权不得商用。

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