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本发明涉及一种实现窄峰型温场生长CdZnTe单晶体的装置及方法，装置包括炉膛、加热模块、保温模块和测温模块；所述炉膛内设有用于放置CdZnTe多晶体的支撑杆；加热模块设于炉膛外侧，加热模块沿炉膛轴向分为中部加热模块和端部加热模块，CdZnT...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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