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本技术提供了一种多工器，属于半导体及微电子技术领域，包括由至少一个金属层与介质层交替压合组成的支持板，以及均位于支持板上的第一支路FBAR谐振器、第二支路FBAR谐振器、第三支路SAW谐振器和第四支路SAW谐振器；所述第一支路FBAR谐振器...
该专利属于成都频岢微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都频岢微电子有限公司授权不得商用。

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