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半导体结构的制作方法及半导体结构技术
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文档序号:40643465
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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构,涉及半导体技术领域,半导体结构的制作方法包括,提供衬底,在衬底上形成堆叠结构;在堆叠结构上形成硬掩膜层,硬掩膜层包括第一刻蚀窗口,第一刻蚀窗口暴露出堆叠结构的部分顶面;形成光刻胶层,光刻胶层覆...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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