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本申请提供了一种半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器。该器件包括衬底、栅极结构以及两个外延部，其中，栅极结构位于衬底的部分表面上；两个外延部分别位于栅极结构的两侧的衬底中，外延部的预定截面的形状在靠近栅极结构的一侧具有至少两个尖角...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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