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一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺制造技术
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文档序号:40638352
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本申请涉及一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺,涉及纳米晶加工制造工艺的技术领域,用于解决传统纳米晶磁片的模切工艺生产效率差、良品率低的缺陷,该工艺包括以下步骤,放卷底膜,在底膜上间隔贴设两层边膜,放卷第一纳米晶带材,第一纳米晶带材位于间隔设...
该专利属于深圳市池纳光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市池纳光电有限公司授权不得商用。
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