【技术实现步骤摘要】
本申请涉及纳米晶加工制造的，尤其涉及一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺。
技术介绍
1、在纳米晶磁片模切领域，模切加工成型有多种工艺，在目前常用的模切加工纳米晶磁片的工艺中，由于工序复杂，对纳米晶磁片的处理效率差，在冲切过程中由于纳米晶带材持续传送冲切，容易发生错位，导致良品率低的缺陷。
2、针对上述中的相关技术，专利技术人认为存在有生产效率差、良品率低的缺陷。
技术实现思路
1、本申请提供一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，以解决传统纳米晶磁片模切工艺生产效率差、良品率低的缺陷。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，所述一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺包括以下步骤：
3、放卷底膜，在所述底膜上的长边方向侧间隔贴设两层边膜，所述底膜厚度为0.06mm，所述边膜厚度为0.1±0.01mm，所述底膜与所述边膜的材质为涤纶树脂；
4、放卷第一纳米晶带材，所述第一纳米晶带材的两侧贴合设置有第一...
【技术保护点】
1.一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，所述一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，所述一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊君，徐兆娟，徐伟强，丁友友，
申请(专利权)人：深圳市池纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。