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本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向交替排列的叠层结构和第一隔离结构；在所述叠层结构和所述第一隔离结构中形成沿所述第一方向延伸的网格状刻蚀凹槽；所述网格状刻蚀凹槽将所述基底划分为沿...
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