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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种异质结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，其中，碳化硅衬底的正面形成N型漂移区，N型漂移区上形成有第一P型多晶硅掺杂层、第二P型多晶硅掺杂层、第一P型屏蔽区和第二P型屏蔽区，且第一P型多晶硅掺杂层和第...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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