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一种半导体结构的形成方法，提供衬底，衬底上具有鳍部；在鳍部的顶部表面和侧壁形成伪栅介质层；在伪栅介质层上形成伪栅材料层；对伪栅材料层进行图形化处理形成伪栅层；对伪栅层的表面进行第一改性处理形成第一改性层；对第一改性层进行第二改性处理形成第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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