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本发明公开了一种抑制电流崩塌的HEMT器件结构及方法。抑制电流崩塌的HEMT器件结构包括：外延结构，包括沿第一方向依次设置的异质结、P型半导体层和n++型重掺层，所述异质结内具有载流子沟道，所述载流子沟道的导带被所述n++型重掺层下拉至费米...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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