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本申请公开了一种SiC外延片及其制备方法，本申请的SiC外延片的制备方法包括以下步骤：提供衬底，将衬底置于反应腔中，衬底具有第一表面，在第一表面上形成第一缓冲层，第一缓冲层包括6H‑SiC；形成第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层背离衬底一...
该专利属于中环领先半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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