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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述器件区的基底表面形成有第一金属层，所述隔离区的基底表面形成有下极板；依次位于所述基板、所述第一金属层和所述下极板的表面的第一介质层、第一绝缘层和第二介质层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司授权不得商用。

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