温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及光学器件领域，特别是涉及一种平面光波导芯片和平面光波导芯片的制造方法。主要包括：Si衬底、下包层、平板芯层、上包层一、上包层二和上包层三。Si衬底的材料为硅基二氧化硅波导材料；下包层的材料为掺杂B和P的SiO<subgt;2...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。