一种平面光波导芯片和平面光波导芯片的制造方法技术

本发明专利技术涉及光学器件领域，特别是涉及一种平面光波导芯片和平面光波导芯片的制造方法。主要包括：Si衬底、下包层、平板芯层、上包层一、上包层二和上包层三。Si衬底的材料为硅基二氧化硅波导材料；下包层的材料为掺杂B和P的SiO<subgt;2</subgt;材料，厚度范围为12um‑20um，采用LPCVD在800℃‑1000℃进行热氧化沉积平板芯层材料为掺杂Ge的氧硅材料，采用PECVD工艺沉积；上包层一的材料为掺杂B和P的SiO<subgt;2</subgt;材料，采用PECVD BPSG沉积及退火工艺；上包层三位于包层二上方，包层二和包层三的材料为掺杂B和P的二氧化硅材料，采用FHD工艺填沟沉积，或采用PECVD+FHD的混合沉积方式，包层二和包层三的总厚度为6um‑20um。本发明专利技术可以使平面波导芯片各层获得更好的加工精度和性能指标，提高了平面波导芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术涉及光学器件领域，特别是涉及一种平面光波导芯片和平面光波导芯片的制造方法。

技术介绍

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技术介绍

1、平面光波导(planar lightwave circuit，简写为plc)芯片作为波分复用无源光纤网络(wavelength division multiplexing passive optical network，简写为wdm-pon)的核心器件芯片，采用半导体工艺将光学元件集合在一起，实现处理复杂功能光信号的光器件芯片技术。plc芯片具有波长间隔小、通道数大、通道损耗均匀、尺寸小、易于集成、便于批量生产等优点，目前已经大量应用于光分路器(splitter)、阵列波导光栅(arrayedwaveguide grating，简写为awg)、光开关(switch)、可调光衰减器(variable opticalattenuator，简写为voa)，以及无源器件及有源器件融合，如：awg+voa可组合为可调光功率波分复用器(variable multiplexer,简写为vmux)、switch+voa可组合为多播光开关(m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种平面光波导芯片，其特征在于，包括Si衬底(1)、下包层(2)、平板芯层(3)、上包层一(4)、上包层二(5)和上包层三(6)，具体的：

2.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

3.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

4.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

5.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

6.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

7.一种平面光波导芯片的制造方法，其特征在于，具体包括：<...

【技术特征摘要】

1.一种平面光波导芯片，其特征在于，包括si衬底(1)、下包层(2)、平板芯层(3)、上包层一(4)、上包层二(5)和上包层三(6)，具体的：

2.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

3.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

4.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

5.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，具体包括：

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴凡，罗勇，赵明璐，李迪，胡强高，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：