温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法，制造方法包括：提供一衬底；形成多个虚拟栅极，核心区与输入输出区上的虚拟栅极的尺寸相同且间隔相同；在核心区的第一源端及第一漏端之间具有一个虚拟栅极，在输入输出区的第二源端及第二漏端之间具有至少两个...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。