温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构包括半导体衬底，该半导体衬底包含侧向围绕晶体管有源区的浅沟槽隔离结构、竖直延伸到该半导体衬底中的至少一个线沟槽、以及位于该晶体管有源区中的源极区和漏极区。轮廓化沟道区在该至少一个线沟槽下面从该源极区连续延伸到该漏极区。栅极电介...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。