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本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体说是一种半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，所述半导体发光元件具有介电常数梯度、折射率梯度、禁带宽度梯度和电子有效质量梯度；所述量子阱包括第一量子阱、第二量...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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