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提供了一种包括三维赛道的存储器器件和该存储器器件的操作方法。该存储器器件包括第一赛道、第一晶体管、第一磁畴索引控制器、位线驱动器、多个第一磁隧道结(MTJ)元件、多个第一单元晶体管和源极线驱动器。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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