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本公开一般涉及包括拓扑绝缘体(TI)调制层的自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)器件。TI调制层包括多个铋或富含铋的组分调制层、包括具有(012)晶体取向的BiSb的多个TI薄片层、以及多个织构化层。TI薄片层包含掺杂剂或原子簇，该原子...
该专利属于西部数据技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过西部数据技术公司授权不得商用。

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