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一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，该第一交替堆叠定位在半导体材料层上方；层间介电层；以及第二绝缘层和第二导电层的第二交替堆叠，该第二交替堆叠定位在该层间介电层上方。存储器开口竖直延伸穿过该第二交...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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