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本发明公开一种半导体功率和射频器件，其特征在于，从下往上包括：衬底、沟道层和势垒层；所述势垒层的饱和电子漂移速率小于等于沟道层的饱和电子漂移速率；所述沟道层和所述势垒层均包括一种以上宽禁带化合物半导体。本发明使所述势垒层的饱和电子漂移速率小...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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