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本发明涉及一种SiC MOSFET器件单粒子效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET单粒子效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的单粒子试验问题，实现对SiC MOSFET在空间环境中单粒子效应的试验评估。在试验过程中，对空间环境...
该专利属于中国空间技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国空间技术研究院授权不得商用。

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