一种SiC MOSFET器件单粒子效应试验方法技术

本发明专利技术涉及一种SiC MOSFET器件单粒子效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET单粒子效应试验。本发明专利技术可以解决SiC MOSFET的单粒子试验问题，实现对SiC MOSFET在空间环境中单粒子效应的试验评估。在试验过程中，对空间环境中器件受到的辐照注量进行计算，根据计算结果确定辐照试验离子注量和线性能量传输(LET)，对器件进行重离子辐照，辐照后进行测试，对测试结果进行综合分析计算，可以给出SiC MOSFET器件抗单粒子效应能力是否满足任务要求，解决SiC器件空间应用面临的单粒子效应评估难题，给用户进行SiC器件选择及加固设计提供支持，推动SiC器件空间应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种sic mosfet器件单粒子效应试验的方法，属于空间用元器件抗辐射。

技术介绍

1、航天器运行在空间辐射环境，会受到空间辐射的影响，需要考虑空间单粒子辐照效应，航天器内的元器件需要进行单粒子效应评估。

2、第三代半导体sic mosfet和si mosfet一样存在单粒子效应，重离子会引起的单粒子烧毁和单粒子栅穿，但研究发现，sic mosfet单粒子效应和si mosfet的存在不同，重离子不仅会引起sicmosfet单粒子烧毁和单粒子栅穿，还会引起单粒子漏电和潜在损伤，并且sic mosfet单粒子效应不仅与入射离子let有关，还与离子注量有关，现有的基于simosfet辐射效应机理建立的单粒子效应试验方法不完全适用于sic mosfet，需要针对sicmosfet单粒子效应机理，建立sic mosfet单粒子效应试验方法，来实现sic mosfet抗单粒子效应能力评估。我们提出的一种sic mosfet器件抗单粒子辐射能力试验方法，可以解决这一问题。

技术实现思路

1、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC MOSFET器件单粒子效应试验方法，其特征在于包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：寿命期内离子LET注量谱通过将(1)计算的LET谱纵坐标数据乘以航天器任务周期的工作运行时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)中按照先辐照注量A，再辐照注量Φ1的顺序开展辐照试验。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述注量A＝1cm-2，如果加速器无法达到该注量，则在1～3000cm-2范围选择加速器能够得到的最小值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：B应不大于10MeV.cm2/mg。<...

【技术特征摘要】

1.一种sic mosfet器件单粒子效应试验方法，其特征在于包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：寿命期内离子let注量谱通过将(1)计算的let谱纵坐标数据乘以航天器任务周期的工作运行时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)中按照先辐照注量a，再辐照注量φ1的顺序开展辐照试验。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述注量a＝1cm-2，如果加速器无法达到该注量...

【专利技术属性】
技术研发人员：于庆奎，王乾元，孙毅，曹爽，魏志超，张洪伟，段超，袁其飞，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：