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本公开提供用于确定生产外延用硅衬底的柴可拉斯基法生长条件的适合性的方法。所述方法涉及通过凭借红外去极化使晶片成像来评估从不同生长条件(例如，杂质分布)下生长的锭切割的衬底。对于每一外延晶片产生红外去极化参数。能够比较所述参数以确定哪些生长条...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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