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提供一种能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其包含AlGaN系的势垒层；p型接触层，其位于活性层的上侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层和p型接触层之间，电子阻挡层叠体具备：第1电子阻挡层，其位于活性层...
该专利属于日机装株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日机装株式会社授权不得商用。

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