氮化物半导体发光元件制造技术

提供一种能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其包含AlGaN系的势垒层；p型接触层，其位于活性层的上侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层和p型接触层之间，电子阻挡层叠体具备：第1电子阻挡层，其位于活性层侧，具有比势垒层的Al组分比大的Al组分比；以及第2电子阻挡层，其位于p型接触层侧，具有比势垒层的Al组分比小的Al组分比，在第2电子阻挡层和p型接触层之间还具备p型包覆层，p型包覆层是由具有比第2电子阻挡层的Al组分比小且比阱层的Al组分比大的Al组分比的p型的AlGaN形成的，p型包覆层具有在膜厚的方向上倾斜的Al组分比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化物半导体发光元件。

技术介绍

1、近年来，输出紫外光的发光二极管、激光二极管等氮化物半导体发光元件已实用化，并在推进能提高发光输出的氮化物半导体发光元件的开发(参照专利文献1)。

2、专利文献1所述的发光元件具备形成在iii族氮化物单晶上并包括势垒层和阱层的多量子阱层，且以使该势垒层中的位于p型的iii族氮化物层侧的最终阻隔层的厚度为2nm至10nm，使该阱层的厚度分别为2nm以下的方式进行了调整。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、【专利文献1】特许第5641173号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、然而，即使如专利文献1所述的发光元件那样实施了将最终阻隔层和阱层的膜厚最佳化的举措，有时也无法得到足够的发光强度，关于提高发光强度，仍有进一步改善的余地。

3、因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。

4、用于解决问题的方案

5、本专利技术以解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，

4.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，

【技术特征摘要】

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，

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【专利技术属性】
技术研发人员：松仓勇介，稻津哲彦，希利尔·贝诺，
申请(专利权)人：日机装株式会社，
类型：发明
国别省市：