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本发明公开了一种超薄势垒的增强型异质结紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体领域，针对现有技术中难以同时实现低暗电流和高光电流等问题提出本方案。氮化镓本征层、氮化铝空间隔离层和氮化铝镓势垒层组成AlGaN/GaN异质结，再利用钝化层降低氮化...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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