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本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备：下方电极层；下方绝缘膜，设置在所述下方电极层的第1方向侧；上方电极层，设置在所述下方绝缘膜的所述第1方向侧；上方绝缘膜，设置在所述上方电极层的所述第1方...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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