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本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：基体；第一导电类型的漂移层；第二导电类型的体层，体层设置于漂移层朝向第一主面的一侧；沟槽，沟槽从第一主面朝向第一方向延伸，沟槽为多个，多个沟槽在第二方向上间隔设置，多个沟槽包...
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