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本申请公开一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括：一基底；一字元线结构，设置于该基底中；多个杂质区域，设置于该基底中并邻近该字元线结构；多个底部浅插塞，设置于该字元线结构上；一第一内连接层，设置于该些底部浅插塞上；多个顶部浅插塞，设置...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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