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本发明提供一种降低沟槽隔离结构表面暗电流的方法及沟槽隔离结构,通过在沟槽隔离结构表面形成P型势垒层和覆盖所述P型势垒层的N型暗电流收集层,N型暗电流收集层与P型势垒层之间形成指向衬底内部的电场能够有效的阻止界面电子向衬底其他区域的扩散,因此...该专利属于格科微电子(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格科微电子(上海)有限公司授权不得商用。
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