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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，制备方法包括：提供基底，基底包括第一型区以及第二型区；第一型区的基底上具有第一绝缘层以及初始第一栅结构，第二型区的基底上具有第二绝缘层与初始第二栅结构；多次同时刻蚀初始第一栅结构以及...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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