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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和隔离区；形成位于所述器件区和隔离区的所述衬底上的鳍部，所述器件区中的所述鳍部为器件鳍部，所述隔离区中的所述鳍部为伪鳍部，且所述伪鳍部的去除工艺对所述伪鳍部与所述衬底之间具有刻蚀选...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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