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本发明提供了一种超薄过渡金属氧化物TMOs的制备方法，其制备方法是一种改良的CVD方法，在制备时，采用硫族元素作为生长添加剂辅助生长，生长添加剂只起到促进生长的作用，不会掺杂到最终产物TMOs中；通过调整生长添加剂的用量可以更精准地调控超薄...
该专利属于东北师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北师范大学授权不得商用。

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